Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 193

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 700mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 250

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 700mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 223

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

stock de pièces: 162

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 183

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 700mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 700mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 178

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 166

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 130001

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

stock de pièces: 2615

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

stock de pièces: 2547

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.55V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(T6L,CANO-O,Q

stock de pièces: 2587

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.55V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

stock de pièces: 2557

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

stock de pièces: 2558

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CLH05,LMBJQ(O

stock de pièces: 2588

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.98V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

stock de pièces: 2552

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

stock de pièces: 2596

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.47V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03(T6L,SHINA,Q)

stock de pièces: 2554

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH01(TE16L,Q)

stock de pièces: 2598

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.98V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

stock de pièces: 2581

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.98V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CLS03(TE16L,PCD,Q)

stock de pièces: 2562

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(TE16R,Q)

stock de pièces: 2544

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.55V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(T6L,CLAR,Q)

stock de pièces: 2597

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.55V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS02(TE16L,SQC,Q)

stock de pièces: 2590

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.55V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH06(TE16L,Q)

stock de pièces: 2608

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CLH01(TE16R,Q)

stock de pièces: 2533

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.98V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CLS01,LFJFQ(O

stock de pièces: 2549

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.47V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03,LNITTOQ(O

stock de pièces: 2564

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

stock de pièces: 2613

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLH03(TE16L,Q)

stock de pièces: 2603

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CLS03(TE16L,SQC,Q)

stock de pièces: 2602

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CLS03(TE16L,PSD,Q)

stock de pièces: 5263

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

stock de pièces: 2547

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

stock de pièces: 2552

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.58V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

stock de pièces: 5332

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

stock de pièces: 2062

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 102694

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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