Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 6

CBS05F30(TPL3)

stock de pièces: 1645

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

stock de pièces: 131336

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 620mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

stock de pièces: 1424

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.47V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

stock de pièces: 1267

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

stock de pièces: 1440

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.47V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

stock de pièces: 1359

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 0.98V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

stock de pièces: 1368

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

stock de pièces: 1091

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

stock de pièces: 1170

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 700mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

stock de pièces: 1121

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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U1GWJ49(TE12L,F)

stock de pièces: 852

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 101221

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS02(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 779

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 470mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS06(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 186793

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUHS10F60,H3F

stock de pièces: 9971

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS15S40,H3F

stock de pièces: 186045

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 161979

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TBAS16,LM

stock de pièces: 122216

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 215mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS551V30,H3F

stock de pièces: 168808

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 470mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 784

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

stock de pièces: 171031

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

stock de pièces: 142010

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 140mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 1.5ns,

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CMS09(TE12L)

stock de pièces: 262

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

stock de pièces: 173

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

stock de pièces: 183

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

stock de pièces: 211

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

stock de pièces: 213

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

stock de pièces: 196

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

stock de pièces: 264

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH01(TE85L)

stock de pièces: 5028

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

stock de pièces: 200

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

stock de pièces: 264

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

stock de pièces: 178

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS01(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 129014

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CCS15S30,L3QUF

stock de pièces: 124325

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

stock de pièces: 143420

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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