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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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RURG5060
ON Semiconductor

RURG5060

stock de pièces: 16442

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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MBR1060G
ON Semiconductor

MBR1060G

stock de pièces: 74783

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR20F30QNXT5G
ON Semiconductor

NSR20F30QNXT5G

stock de pièces: 191978

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 480mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RURP1560-F085
ON Semiconductor

RURP1560-F085

stock de pièces: 4318

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 70ns,

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FFSP1665A
ON Semiconductor

FFSP1665A

stock de pièces: 4203

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.75V @ 16A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MUR405G
ON Semiconductor

MUR405G

stock de pièces: 155847

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 890mV @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SB380
ON Semiconductor

SB380

stock de pièces: 113801

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR1510G
ON Semiconductor

MUR1510G

stock de pièces: 70510

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SBRD8835LG-VF01
ON Semiconductor

SBRD8835LG-VF01

stock de pièces: 176905

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NHPJ15S600G
ON Semiconductor

NHPJ15S600G

stock de pièces: 96389

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.2V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SBE001-TL-W
ON Semiconductor

SBE001-TL-W

stock de pièces: 116902

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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SB3100
ON Semiconductor

SB3100

stock de pièces: 194202

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFSPF2065A
ON Semiconductor

FFSPF2065A

stock de pièces: 4319

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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EGP30F
ON Semiconductor

EGP30F

stock de pièces: 160966

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MSRF860G
ON Semiconductor

MSRF860G

stock de pièces: 75556

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 120ns,

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EGP30B
ON Semiconductor

EGP30B

stock de pièces: 128836

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MBR750
ON Semiconductor

MBR750

stock de pièces: 63141

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NHPJ08S600G
ON Semiconductor

NHPJ08S600G

stock de pièces: 187805

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.2V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MUR440G
ON Semiconductor

MUR440G

stock de pièces: 146517

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.28V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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MUR105G
ON Semiconductor

MUR105G

stock de pièces: 197962

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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UD2006FR
ON Semiconductor

UD2006FR

stock de pièces: 5273

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 60ns,

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FFSPF0865A
ON Semiconductor

FFSPF0865A

stock de pièces: 4370

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.75V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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RHRG75120
ON Semiconductor

RHRG75120

stock de pièces: 16292

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 75A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.2V @ 75A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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EGP10A
ON Semiconductor

EGP10A

stock de pièces: 1891

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor

UD0506T-TL-HX

stock de pièces: 2020

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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EGP30C
ON Semiconductor

EGP30C

stock de pièces: 191309

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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RHRP860-F085
ON Semiconductor

RHRP860-F085

stock de pièces: 4397

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.1V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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RD0504T-P-TL-H
ON Semiconductor

RD0504T-P-TL-H

stock de pièces: 1991

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 17ns,

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FJH1101
ON Semiconductor

FJH1101

stock de pièces: 7280

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 15V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 50mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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EGP20KTA
ON Semiconductor

EGP20KTA

stock de pièces: 1929

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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MUR480ESG
ON Semiconductor

MUR480ESG

stock de pièces: 169143

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.85V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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EGP10J
ON Semiconductor

EGP10J

stock de pièces: 1920

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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FFPF30UA60S
ON Semiconductor

FFPF30UA60S

stock de pièces: 70453

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.2V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 90ns,

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MR852RLG
ON Semiconductor

MR852RLG

stock de pièces: 160769

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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RURG8060
ON Semiconductor

RURG8060

stock de pièces: 11747

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 80A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 85ns,

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SB05-05P-TD-E
ON Semiconductor

SB05-05P-TD-E

stock de pièces: 175471

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 10ns,

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