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RFQS / Commande
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Diodes - Redresseurs - Simples

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FFSH1665A
ON Semiconductor

FFSH1665A

stock de pièces: 2653

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 23A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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FFSH30120A
ON Semiconductor

FFSH30120A

stock de pièces: 2398

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 46A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD9R120F2WP

stock de pièces: 160395

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.6V @ 15A,

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NHPV08S600G
ON Semiconductor

NHPV08S600G

stock de pièces: 117921

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.2V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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FFSH2065BDN-F085
ON Semiconductor

FFSH2065BDN-F085

stock de pièces: 2965

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MBRS3201PT3G
ON Semiconductor

MBRS3201PT3G

stock de pièces: 2341

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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RHRG5060
ON Semiconductor

RHRG5060

stock de pièces: 15262

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.1V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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FFSH40120ADN-F085
ON Semiconductor

FFSH40120ADN-F085

stock de pièces: 2903

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 25A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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FFSH3065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH3065ADN-F155

stock de pièces: 2901

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 23A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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FFH50US60S
ON Semiconductor

FFH50US60S

stock de pièces: 15694

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.54V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 124ns,

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NHPV15S600G
ON Semiconductor

NHPV15S600G

stock de pièces: 83704

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.2V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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FFSH4065A
ON Semiconductor

FFSH4065A

stock de pièces: 2923

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 48A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MBRB1045G
ON Semiconductor

MBRB1045G

stock de pièces: 66049

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ISL9R1560G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R1560G2-F085

stock de pièces: 2937

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.2V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 40ns,

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NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD8R65F2WP

stock de pièces: 172240

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.8V @ 30A,

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ISL9R18120G2
ON Semiconductor

ISL9R18120G2

stock de pièces: 20459

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 18A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.3V @ 18A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 70ns,

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MBRB2515LG
ON Semiconductor

MBRB2515LG

stock de pièces: 39030

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 15V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 25A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MR854G
ON Semiconductor

MR854G

stock de pièces: 183154

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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MBR2515LG
ON Semiconductor

MBR2515LG

stock de pièces: 31575

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 15V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 25A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD17R120F2WP

stock de pièces: 69954

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 35A,

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FFSH3065B-F085
ON Semiconductor

FFSH3065B-F085

stock de pièces: 2933

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 37A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 30A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MBR1645G
ON Semiconductor

MBR1645G

stock de pièces: 67876

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 630mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFH50US60S-F085
ON Semiconductor

FFH50US60S-F085

stock de pièces: 2719

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.69V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 163ns,

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RHRG3060
ON Semiconductor

RHRG3060

stock de pièces: 25614

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.1V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 45ns,

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MUR110G
ON Semiconductor

MUR110G

stock de pièces: 166509

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBR1050
ON Semiconductor

MBR1050

stock de pièces: 145448

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR360G
ON Semiconductor

MBR360G

stock de pièces: 146488

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 740mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MSRF1560G
ON Semiconductor

MSRF1560G

stock de pièces: 88275

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 45ns,

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FFPF10UP20STU
ON Semiconductor

FFPF10UP20STU

stock de pièces: 77903

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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RD2006FR-H
ON Semiconductor

RD2006FR-H

stock de pièces: 75387

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.75V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MUR4100EG
ON Semiconductor

MUR4100EG

stock de pièces: 107778

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.85V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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FFSH2065A
ON Semiconductor

FFSH2065A

stock de pièces: 2860

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 25A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MUR1515G
ON Semiconductor

MUR1515G

stock de pièces: 64298

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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FFSH40120A
ON Semiconductor

FFSH40120A

stock de pièces: 2977

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 61A (DC), La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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MBRS3100PT3G
ON Semiconductor

MBRS3100PT3G

stock de pièces: 2327

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 790mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ISL9R460PF2
ON Semiconductor

ISL9R460PF2

stock de pièces: 70462

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.4V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 22ns,

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