Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 150MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gagner: 8.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 24dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 18dB ~ 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Gagner: 14dB @ 200MHz, Puissance - Max: 350W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 850MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB ~ 23dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 23dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 800MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 900MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
