Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Puissance - Max: 625mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 200W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 120mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 150MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Gagner: 14dB ~ 26dB, Puissance - Max: 350mW,
