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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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ATP207-TL-H
ON Semiconductor

ATP207-TL-H

stock de pièces: 9430

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 33A, 10V,

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ATP302-TL-H
ON Semiconductor

ATP302-TL-H

stock de pièces: 95812

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

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ATP401-TL-H
ON Semiconductor

ATP401-TL-H

stock de pièces: 50250

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

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BS170-D27Z
ON Semiconductor

BS170-D27Z

stock de pièces: 61

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BVSS123LT1G
ON Semiconductor

BVSS123LT1G

stock de pièces: 129510

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

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BBS3002-TL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-TL-1E

stock de pièces: 33736

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

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BUZ11-NR4941
ON Semiconductor

BUZ11-NR4941

stock de pièces: 86

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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BSS138W
ON Semiconductor

BSS138W

stock de pièces: 146564

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BVSS84LT1G
ON Semiconductor

BVSS84LT1G

stock de pièces: 114564

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

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BMS4007-1E
ON Semiconductor

BMS4007-1E

stock de pièces: 42890

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

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BFL4026-1E
ON Semiconductor

BFL4026-1E

stock de pièces: 34306

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

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BMS3004-1E
ON Semiconductor

BMS3004-1E

stock de pièces: 19168

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 68A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 34A, 10V,

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BBL4001-1E
ON Semiconductor

BBL4001-1E

stock de pièces: 25429

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 74A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

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BMS3003-1E
ON Semiconductor

BMS3003-1E

stock de pièces: 19146

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 78A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

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BSS138-T
ON Semiconductor

BSS138-T

stock de pièces: 2354

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BXL4004-1E
ON Semiconductor

BXL4004-1E

stock de pièces: 2247

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

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BMS3004-1EX
ON Semiconductor

BMS3004-1EX

stock de pièces: 2159

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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BFL4001-1EX
ON Semiconductor

BFL4001-1EX

stock de pièces: 2065

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

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BBL4001
ON Semiconductor

BBL4001

stock de pièces: 2123

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 74A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

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BS270-D74Z
ON Semiconductor

BS270-D74Z

stock de pièces: 8648

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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BS170-D74Z
ON Semiconductor

BS170-D74Z

stock de pièces: 8637

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170-D26Z
ON Semiconductor

BS170-D26Z

stock de pièces: 8681

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS107AG
ON Semiconductor

BS107AG

stock de pièces: 1926

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

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BFL4036-1E
ON Semiconductor

BFL4036-1E

stock de pièces: 6274

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

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BFL4037-1E
ON Semiconductor

BFL4037-1E

stock de pièces: 6199

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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BFL4007-1E
ON Semiconductor

BFL4007-1E

stock de pièces: 1833

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

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BFL4004-1E
ON Semiconductor

BFL4004-1E

stock de pièces: 1834

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

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BFL4001-1E
ON Semiconductor

BFL4001-1E

stock de pièces: 1889

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

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BBS3002-DL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-1E

stock de pièces: 33450

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

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BSS138-D87Z
ON Semiconductor

BSS138-D87Z

stock de pièces: 6186

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BMS4003
ON Semiconductor

BMS4003

stock de pièces: 1258

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

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BXL4001
ON Semiconductor

BXL4001

stock de pièces: 1160

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 85A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

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BMS3003
ON Semiconductor

BMS3003

stock de pièces: 1228

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 78A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

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BFL4007
ON Semiconductor

BFL4007

stock de pièces: 1221

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

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BFL4036
ON Semiconductor

BFL4036

stock de pièces: 1229

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

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BFL4004
ON Semiconductor

BFL4004

stock de pièces: 1163

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

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