stock de pièces: 1839
Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,