Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.4nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 100mA, Courant - Saturation: 100mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 36nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.6nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 390mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.7nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.7nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 280mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 120nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 30nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 420mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 68nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.4nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 550mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.7nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.2A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.9nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 580mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 220nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 15nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.8nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 4.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.6nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 0.8nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 91nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.9nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 650mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.3nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 280mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 350mA,
