Taper: Wirewound, Inductance: 16nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.95A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 53nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 415mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.9nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 9.1nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 260mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 650mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Inductance: 43nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 840mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 150nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.3nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 36nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 540mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 44nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 840mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.8nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 180nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 310mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 360nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.1nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.42A,
Taper: Wirewound, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 770mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.4nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.38A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.77A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.2nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.77A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 27nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 590mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.3nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.6nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 75nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.4nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.95A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 470nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 35mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 370mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 680mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 620mA,