Taper: Wirewound, Inductance: 20nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.1nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.42A,
Taper: Wirewound, Inductance: 23nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.3A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 2A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.7nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.4nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.95A,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.2nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.77A,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.45A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 820nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 35mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.6nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 950mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.3nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.4nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.77A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 2A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.3nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 2.53A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 640mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 16nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.77A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.2A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.4nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.38A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.5nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.38A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 0.8nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 19nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.4A,
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Taper: Wirewound, Inductance: 8.8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.42A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 68nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 50mA,
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Taper: Wirewound, Inductance: 1.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.45A,
