Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 9.1nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 90mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 47nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 11nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.8nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 27nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 440mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 330nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 450mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 220mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 0.9nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.5nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 220mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 380mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.6nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 82nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 4nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 350mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 600mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 20nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 600mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 9.1nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 650mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 120mA, Courant - Saturation: 120mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 220mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.5nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 650mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 7.5nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 950mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 13nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 210mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 11nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 650mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 2.3nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 450mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 340mA,