Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 280mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 550mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 550mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 650mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 550mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.4nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 360mA,
Taper: Thick Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.5nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 730mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 11nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.5nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 6.2nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.5nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 390nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 18nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 1.1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 150nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 1nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 1A,
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Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 600mA,
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Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 100mA, Courant - Saturation: 100mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 39nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 9.1nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 100mA,
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Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 400mA,
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Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 220mA,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.6nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 600mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 0.5nH, Tolérance: ±0.1nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 650mA,