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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Transistors - FET, MOSFET - Simple

2N7002H-7
Diodes Incorporated

2N7002H-7

stock de pièces: 168572

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

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2SK303100L
Panasonic Electronic Components

2SK303100L

stock de pièces: 70055

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK327700L
Panasonic Electronic Components

2SK327700L

stock de pièces: 97609

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.25A, 10V,

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2N7002MTF
ON Semiconductor

2N7002MTF

stock de pièces: 1245

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4209
ON Semiconductor

2SK4209

stock de pièces: 1223

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.08 Ohm @ 6A, 10V,

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2SK4197LS
ON Semiconductor

2SK4197LS

stock de pièces: 1194

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

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2SK4198LS
ON Semiconductor

2SK4198LS

stock de pièces: 6163

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

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2SK4177-E
ON Semiconductor

2SK4177-E

stock de pièces: 1166

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4196LS
ON Semiconductor

2SK4196LS

stock de pièces: 1179

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

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2SK4099LS
ON Semiconductor

2SK4099LS

stock de pièces: 1227

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4116LS
ON Semiconductor

2SK4116LS

stock de pièces: 1193

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK3826
ON Semiconductor

2SK3826

stock de pièces: 1249

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK3827
ON Semiconductor

2SK3827

stock de pièces: 1184

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3824
ON Semiconductor

2SK3824

stock de pièces: 1227

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3823
ON Semiconductor

2SK3823

stock de pièces: 1192

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3821-DL-E
ON Semiconductor

2SK3821-DL-E

stock de pièces: 1219

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3817-DL-E
ON Semiconductor

2SK3817-DL-E

stock de pièces: 1236

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3820-DL-E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-E

stock de pièces: 1246

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SJ665-DL-E
ON Semiconductor

2SJ665-DL-E

stock de pièces: 1187

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3816-DL-E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-E

stock de pièces: 1188

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2SJ661-DL-E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-E

stock de pièces: 1200

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK4222
ON Semiconductor

2SK4222

stock de pièces: 1148

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 11.5A, 10V,

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2SK4221
ON Semiconductor

2SK4221

stock de pièces: 6203

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4177-DL-E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-E

stock de pièces: 1184

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4117LS
ON Semiconductor

2SK4117LS

stock de pièces: 1187

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 7.5A, 10V,

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2SK4126
ON Semiconductor

2SK4126

stock de pièces: 1129

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK4089LS
ON Semiconductor

2SK4089LS

stock de pièces: 1168

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK4087LS
ON Semiconductor

2SK4087LS

stock de pièces: 1103

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK3943-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America

2SK3943-ZP-E1-AY

stock de pièces: 1136

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

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2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America

2SK3811-ZP-E1-AY

stock de pièces: 1223

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V,

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2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America

2SJ687-ZK-E1-AY

stock de pièces: 1177

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 4.5V,

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2SK3793-AZ
Renesas Electronics America

2SK3793-AZ

stock de pièces: 1183

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK3813-AZ
Renesas Electronics America

2SK3813-AZ

stock de pièces: 1166

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3481-AZ
Renesas Electronics America

2SK3481-AZ

stock de pièces: 1175

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V,

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2SK3483-AZ
Renesas Electronics America

2SK3483-AZ

stock de pièces: 1144

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

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2SJ673-AZ
Renesas Electronics America

2SJ673-AZ

stock de pièces: 1120

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

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