Transistors - FET, MOSFET - Simple

2SK3048

2SK3048

stock de pièces: 32345

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3043

2SK3043

stock de pièces: 31742

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 450V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

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2SK3046

2SK3046

stock de pièces: 24158

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

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2N6660

2N6660

stock de pièces: 6315

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3746-1E

2SK3746-1E

stock de pièces: 15517

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3703-1E

2SK3703-1E

stock de pièces: 40945

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

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2SJ652-1E

2SJ652-1E

stock de pièces: 33065

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3745LS-1E

2SK3745LS-1E

stock de pièces: 18892

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3747-1E

2SK3747-1E

stock de pièces: 15610

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1E

stock de pièces: 30646

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

stock de pièces: 57287

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK1835-E

2SK1835-E

stock de pièces: 8930

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 15V,

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2SK3901(0)-ZK-E1-AY
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2SK3902(0)-ZK-E1-AY
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2SK3899(0)-ZK-E1-AZ
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2SK3814(01)-Z-E1-AZ
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2SK3813(0)-Z-E1-AZ
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2SK3813-Z-E1-AZ
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2SK3484(0)-Z-E1-AZ
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2SK3755-AZ

2SK3755-AZ

stock de pièces: 2464

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2SK3483(0)-Z-E1-AZ
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2SK3483(0)-Z-E1-AY
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2SK3430(02)-S6-AZ
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2SK3402(0)-Z-E1-AZ
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2SK3386(0)-Z-E1-AZ
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2SK3377-Z-E2-AZ
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2SK3377-Z-E1-AZ
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2SK3377(0)-Z-E2-AZ
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ
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2SK3367(01)-Z-E1-AZ
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2SK3353-Z-E1-AZ
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2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

stock de pièces: 2396

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2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

stock de pièces: 36814

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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2N7002PM,315

2N7002PM,315

stock de pièces: 2530

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,

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2N7002T,215

2N7002T,215

stock de pièces: 2571

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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