Transistors - FET, MOSFET - Simple

2SJ438(AISIN,A,Q)

stock de pièces: 2215

2SK2034TE85LF

stock de pièces: 2095

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SJ661-1EX

stock de pièces: 2203

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

2SJ652-1EX

stock de pièces: 2120

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

2SK3816-DL-1EX

stock de pièces: 2164

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

2SK3703-1EX

stock de pièces: 2124

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

2SJ661-DL-1EX

stock de pièces: 2140

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

2SK4125-1EX

stock de pièces: 2103

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK4098FS

stock de pièces: 2085

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

2SK4125-1E

stock de pièces: 6248

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK536-MTK-TB-E

stock de pièces: 198740

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

2SK4099LS-1E

stock de pièces: 1876

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

2SK4124-1E

stock de pièces: 6267

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

2SK4087LS-1E

stock de pièces: 1869

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK4088LS-1E

stock de pièces: 1874

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

2SK4066-DL-1E

stock de pièces: 1810

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK4085LS-1E

stock de pièces: 1812

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

2SK4066-1E

stock de pièces: 1849

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK3820-DL-1E

stock de pièces: 1839

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

2SK4065-DL-1E

stock de pièces: 1813

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

2SK3748-1E

stock de pièces: 10717

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

2SK3816-DL-1E

stock de pièces: 1843

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

2N7002WST1G

stock de pièces: 1836

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

2SK3707-1E

stock de pièces: 1889

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3064G0L

stock de pièces: 2106

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

2N7002 BK

stock de pièces: 163082

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK3431-Z-E1-AZ

stock de pièces: 1978

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 83A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3431-AZ

stock de pièces: 1997

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 83A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3430-Z-E1-AZ

stock de pièces: 1915

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

2SK1518-E

stock de pièces: 1995

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

2N6661JTXV02

stock de pièces: 1822

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTXL02

stock de pièces: 6256

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTVP02

stock de pièces: 1814

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTX02

stock de pièces: 1843

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661-E3

stock de pièces: 1817

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661-2

stock de pièces: 1824

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,