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Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple

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2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

stock de pièces: 7010

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

stock de pièces: 6997

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

stock de pièces: 6944

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

stock de pièces: 6994

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

stock de pièces: 6991

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

stock de pièces: 6710

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

stock de pièces: 6956

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

stock de pièces: 6934

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

stock de pièces: 6947

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

stock de pièces: 7016

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

stock de pièces: 6980

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

stock de pièces: 7010

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

stock de pièces: 6927

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

stock de pièces: 6950

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

stock de pièces: 6992

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

stock de pièces: 6995

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

stock de pièces: 6951

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

stock de pièces: 6771

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

stock de pièces: 6920

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

stock de pièces: 6933

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

stock de pièces: 7010

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

stock de pièces: 6706

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

stock de pièces: 7011

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

stock de pièces: 6927

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

stock de pièces: 6952

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 33mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

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2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

stock de pièces: 6974

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

stock de pièces: 6974

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

stock de pièces: 6924

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

stock de pièces: 6919

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

stock de pièces: 6991

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

stock de pièces: 7009

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

stock de pièces: 6921

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

stock de pièces: 6978

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

stock de pièces: 6994

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6OMI,FM

stock de pièces: 6918

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA1020-Y(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6FJT,AF

stock de pièces: 6960

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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