Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 11

2SC2229-Y,F(J

stock de pièces: 6978

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

stock de pièces: 6957

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

stock de pièces: 7016

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

stock de pièces: 6992

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

stock de pièces: 6990

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-Y(SAN2,F,M

stock de pièces: 7022

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

stock de pièces: 7021

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-Y(MIT,F,M)

stock de pièces: 6703

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-Y(MIT1,F,M

stock de pièces: 6975

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(T6SHP1FM

stock de pièces: 7020

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(TE6,F,M)

stock de pièces: 7022

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(T6SAN2FM

stock de pièces: 6954

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(T6MIT1FM

stock de pièces: 6948

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(SHP1,F,M

stock de pièces: 6990

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

stock de pièces: 6947

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(MITIF,M)

stock de pièces: 7035

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(MIT1F,M)

stock de pièces: 7005

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

stock de pièces: 6999

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC1627A-O,PASF(M

stock de pièces: 7004

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 400mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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2SC1627A-Y,PASF(M

stock de pièces: 6754

Type de transistor: NPN, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 400mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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2SB1495,Q(M

stock de pièces: 6942

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

stock de pièces: 6995

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

stock de pièces: 7000

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

stock de pièces: 6996

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 4A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 2µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

stock de pièces: 6949

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

stock de pièces: 6958

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

stock de pièces: 6947

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

stock de pièces: 6980

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

stock de pièces: 7012

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 100V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

stock de pièces: 6968

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

stock de pièces: 7012

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

stock de pièces: 6956

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

stock de pièces: 6980

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

stock de pièces: 6968

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SA965-Y(F,M)

stock de pièces: 7009

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

stock de pièces: 6956

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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