Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

stock de pièces: 6969

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

stock de pièces: 7016

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

stock de pièces: 6976

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

stock de pièces: 6938

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

stock de pièces: 6937

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

stock de pièces: 6975

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

stock de pièces: 6952

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

stock de pièces: 7006

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SA949-O(TE6,F,M)

stock de pièces: 6949

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

stock de pièces: 6969

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 150V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SA1972,T6WNLF(J

stock de pièces: 5673

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 400V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

stock de pièces: 6973

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 400V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

stock de pièces: 7026

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

stock de pièces: 6986

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

stock de pièces: 6951

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

stock de pièces: 6948

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

stock de pièces: 6957

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

stock de pièces: 6946

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

stock de pièces: 6957

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

stock de pièces: 6765

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

stock de pièces: 6941

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 5A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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2SA1930,Q(J

stock de pièces: 7022

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

stock de pièces: 6775

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

stock de pièces: 6939

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

stock de pièces: 7019

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

stock de pièces: 6989

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

stock de pièces: 6940

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 2A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 180V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 5µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

stock de pièces: 7005

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

stock de pièces: 6727

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

stock de pièces: 7004

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

stock de pièces: 6990

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 3A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

stock de pièces: 6947

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

stock de pièces: 6752

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

stock de pièces: 6966

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

stock de pièces: 6942

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

stock de pièces: 6984

Type de transistor: PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 230V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 1µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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