Capacité @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Rapport de capacité: 4.6, État du rapport de capacité: C1/C9, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.9, État du rapport de capacité: C3/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 4.8, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.6, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
Capacité @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.8, État du rapport de capacité: C3/C30, Tension - Crête inversée (Max): 32V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.9, État du rapport de capacité: C3/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Rapport de capacité: 5, État du rapport de capacité: C1/C6.5, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.75, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.6, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
Capacité @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.75, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.3, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Rapport de capacité: 24.5, État du rapport de capacité: C1/C6.5, Tension - Crête inversée (Max): 33V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.4, État du rapport de capacité: C3/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 2, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 14V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.6, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
Capacité @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,
