Menu
FrançaisFrançais
RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Transistors - FET, MOSFET - Simple

  • Domicile
  •  
  • Transistors - FET, MOSFET - Simple
FDP51N25
ON Semiconductor

FDP51N25

stock de pièces: 23411

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

Wishlist
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor

NTB60N06LT4G

stock de pièces: 855

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist
FDU8780_F071
ON Semiconductor

FDU8780_F071

stock de pièces: 691

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist
FDB039N06
ON Semiconductor

FDB039N06

stock de pièces: 6119

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist
IRLM220ATF
ON Semiconductor

IRLM220ATF

stock de pièces: 174026

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 5V,

Wishlist
FQD16N25CTM_F080
ON Semiconductor

FQD16N25CTM_F080

stock de pièces: 645

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist
FDC3512_F095
ON Semiconductor

FDC3512_F095

stock de pièces: 6093

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist
MTD6N15T4G
ON Semiconductor

MTD6N15T4G

stock de pièces: 602

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist
NDS7002A_D87Z
ON Semiconductor

NDS7002A_D87Z

stock de pièces: 579

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist
FDS7764A
ON Semiconductor

FDS7764A

stock de pièces: 704

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

Wishlist
FQT13N06LTF
ON Semiconductor

FQT13N06LTF

stock de pièces: 168040

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist
NTMFS4837NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT1G

stock de pièces: 847

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 74A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
NTMS4705NR2G
ON Semiconductor

NTMS4705NR2G

stock de pièces: 825

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist
FQT13N06TF
ON Semiconductor

FQT13N06TF

stock de pièces: 169448

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor

FDB12N50UTM_WS

stock de pièces: 659

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist
NTMFS4108NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4108NT1G

stock de pièces: 904

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist
CPH6341-TL-E
ON Semiconductor

CPH6341-TL-E

stock de pièces: 876

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist
NTD78N03T4G
ON Semiconductor

NTD78N03T4G

stock de pièces: 813

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Wishlist
IRFW540ATM
ON Semiconductor

IRFW540ATM

stock de pièces: 750

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist
FDPF20N50T
ON Semiconductor

FDPF20N50T

stock de pièces: 23375

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist
FQD7P06TM_F080
ON Semiconductor

FQD7P06TM_F080

stock de pièces: 692

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist
NTJS4160NT1G
ON Semiconductor

NTJS4160NT1G

stock de pièces: 841

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wishlist
NTMFS4847NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4847NAT1G

stock de pièces: 701

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
FDA62N28
ON Semiconductor

FDA62N28

stock de pièces: 570

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 280V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 31A, 10V,

Wishlist
FDMB506P
ON Semiconductor

FDMB506P

stock de pièces: 657

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V,

Wishlist
FDC3612_F095
ON Semiconductor

FDC3612_F095

stock de pièces: 608

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wishlist
FDB047N10
ON Semiconductor

FDB047N10

stock de pièces: 29699

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist
FDP6670AL
ON Semiconductor

FDP6670AL

stock de pièces: 603

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist
FDI040N06
ON Semiconductor

FDI040N06

stock de pièces: 876

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist
IRLR120ATF
ON Semiconductor

IRLR120ATF

stock de pièces: 793

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 4.2A, 5V,

Wishlist
NTMFS4121NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4121NT1G

stock de pièces: 816

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist
NTD4858NAT4G
ON Semiconductor

NTD4858NAT4G

stock de pièces: 707

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
SFW9Z34TM
ON Semiconductor

SFW9Z34TM

stock de pièces: 706

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist
NDT454P
ON Semiconductor

NDT454P

stock de pièces: 101089

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.9A, 10V,

Wishlist
FDC655AN
ON Semiconductor

FDC655AN

stock de pièces: 569

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.3A, 10V,

Wishlist
FQPF47P06
ON Semiconductor

FQPF47P06

stock de pièces: 22005

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist