Transistors - FET, MOSFET - Simple

NTMFS4C09NT1G-001

stock de pièces: 1932

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

FDB52N20TM

stock de pièces: 54760

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

SCH1433-S-TL-H

stock de pièces: 1918

NVMFS5C670NLWFT3G

stock de pièces: 123953

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

NVMFS5C670NLT1G

stock de pièces: 125470

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

HUFA75852G3-F085

stock de pièces: 6252

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 75A, 10V,

NDF04N60ZG-001

stock de pièces: 152544

NTLJS3A18PZTWG

stock de pièces: 1903

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V,

WPB4001-1E

stock de pièces: 1886

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 13A, 10V,

FDB8441-F085

stock de pièces: 1837

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

NVMFS5C673NLT3G

stock de pièces: 177453

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,

FDD8878

stock de pièces: 109025

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 35A, 10V,

NTLUS3A40PZCTBG

stock de pièces: 1885

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

NVMFS5C404NWFT1G

stock de pièces: 42288

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 50A, 10V,

NVB6413ANT4G

stock de pièces: 6266

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 42A, 10V,

EFC6604R-A-TR

stock de pièces: 143222

FDPF8N50NZU

stock de pièces: 50932

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

NVD4808NT4G

stock de pièces: 1896

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

FDPF16N50T

stock de pièces: 28641

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

EFC4612R-TR

stock de pièces: 133854

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 24V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V,

NVB5860NLT4G

stock de pièces: 27150

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 220A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C442NLWFT3G

stock de pièces: 144075

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 127A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

FDMS3006SDC

stock de pièces: 49875

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

NDD60N550U1-35G

stock de pièces: 71951

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

FDMA0104

stock de pièces: 1862

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V,

NVMFS5C450NWFT3G

stock de pièces: 166870

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS6B14NWFT1G

stock de pièces: 78361

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

FCPF11N65

stock de pièces: 1842

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

NVMFS5C450NLT3G

stock de pièces: 194011

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

MCH6437-P-TL-E

stock de pièces: 1824

CPH3355-TL-H

stock de pièces: 1911

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1A, 10V,

NVMFS5C612NLWFT3G

stock de pièces: 45093

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

NVB6412ANT4G

stock de pièces: 80329

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2 mOhm @ 58A, 10V,

HUFA75321D3ST

stock de pièces: 166076

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

FDMC7692S-F127

stock de pièces: 1858

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12.5A, 10V,

NVMFS5C430NLT3G

stock de pièces: 126850

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,