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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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FDS9400A
ON Semiconductor

FDS9400A

stock de pièces: 179782

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,

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FDP032N08
ON Semiconductor

FDP032N08

stock de pièces: 18825

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

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FDD6N50TM-WS
ON Semiconductor

FDD6N50TM-WS

stock de pièces: 16505

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

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FQB27N25TM_AM002
ON Semiconductor

FQB27N25TM_AM002

stock de pièces: 10068

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V,

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NTB85N03
ON Semiconductor

NTB85N03

stock de pièces: 304

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 28V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,

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IRFS750A
ON Semiconductor

IRFS750A

stock de pièces: 9991

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4.2A, 10V,

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FQA11N90
ON Semiconductor

FQA11N90

stock de pièces: 82

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 5.7A, 10V,

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FDD8647L
ON Semiconductor

FDD8647L

stock de pièces: 121729

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

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FDS5672
ON Semiconductor

FDS5672

stock de pièces: 37770

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

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FQA7N80C
ON Semiconductor

FQA7N80C

stock de pièces: 9971

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

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MMSF3P02HDR2SG
ON Semiconductor

MMSF3P02HDR2SG

stock de pièces: 259

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V,

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NTD3055-094-1
ON Semiconductor

NTD3055-094-1

stock de pièces: 357

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,

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NTB18N06
ON Semiconductor

NTB18N06

stock de pièces: 301

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.5A, 10V,

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FQAF11N90
ON Semiconductor

FQAF11N90

stock de pièces: 72

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 3.6A, 10V,

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FDS6612A
ON Semiconductor

FDS6612A

stock de pièces: 119701

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.4A, 10V,

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ISL9N302AS3
ON Semiconductor

ISL9N302AS3

stock de pièces: 54

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V,

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FQAF90N08
ON Semiconductor

FQAF90N08

stock de pièces: 103

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

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HUFA75339S3S
ON Semiconductor

HUFA75339S3S

stock de pièces: 10048

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

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FQI16N25CTU
ON Semiconductor

FQI16N25CTU

stock de pièces: 44

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V,

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FQPF34N20L
ON Semiconductor

FQPF34N20L

stock de pièces: 10007

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 8.75A, 10V,

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HUFA76633S3S
ON Semiconductor

HUFA76633S3S

stock de pièces: 10018

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 39A, 10V,

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NTD25P03LG
ON Semiconductor

NTD25P03LG

stock de pièces: 269

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 5V,

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FQB45N15V2TM
ON Semiconductor

FQB45N15V2TM

stock de pièces: 92

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 22.5A, 10V,

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HUF76645P3
ON Semiconductor

HUF76645P3

stock de pièces: 71

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

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NTD24N06L-1G
ON Semiconductor

NTD24N06L-1G

stock de pièces: 345

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 5V,

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FQH18N50V2
ON Semiconductor

FQH18N50V2

stock de pièces: 64

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 10A, 10V,

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FDU8770
ON Semiconductor

FDU8770

stock de pièces: 46

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V,

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FQAF12N60
ON Semiconductor

FQAF12N60

stock de pièces: 10002

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.9A, 10V,

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NTB35N15G
ON Semiconductor

NTB35N15G

stock de pièces: 322

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 37A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,

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FQB46N15TM_AM002
ON Semiconductor

FQB46N15TM_AM002

stock de pièces: 10068

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22.8A, 10V,

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FQA20N40
ON Semiconductor

FQA20N40

stock de pièces: 31

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 9.8A, 10V,

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MMSF7P03HDR2
ON Semiconductor

MMSF7P03HDR2

stock de pièces: 276

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V,

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FQAF17N40
ON Semiconductor

FQAF17N40

stock de pièces: 10032

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 6.1A, 10V,

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NTB75N06L
ON Semiconductor

NTB75N06L

stock de pièces: 333

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V,

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NTB23N03RG
ON Semiconductor

NTB23N03RG

stock de pièces: 249

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

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HUF75842S3ST
ON Semiconductor

HUF75842S3ST

stock de pièces: 10048

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,

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