Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 270nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Wirewound, Inductance: 25nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.4nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.5nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.9nH, Tolérance: ±3%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 0.5nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.9nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.2A,
Taper: Wirewound, Inductance: 75nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Air, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 36nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 910mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 1.8A,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.1nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.5nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.95A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 11nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.1nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.8A,
Taper: Wirewound, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 620mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.6nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.42A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 2.53A,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 1.95A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.6nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.28A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 1.4nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 7.6nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 39nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1A,
Taper: Thin Film, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.1nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 2.53A,
Taper: Wirewound, Inductance: 17nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 180nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Thin Film, Inductance: 0.9nH, Tolérance: ±0.05nH, Note actuelle: 900mA,
