Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 17

APT1002RBNG

stock de pièces: 6299

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT1001RBN

stock de pièces: 2149

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT80SM120S

stock de pièces: 2172

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT80SM120J

stock de pièces: 2121

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT80SM120B

stock de pièces: 2112

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT70SM70J

stock de pièces: 6264

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT70SM70S

stock de pièces: 2124

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT25SM120S

stock de pièces: 2166

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT70SM70B

stock de pièces: 2170

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT25SM120B

stock de pièces: 2084

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT7M120B

stock de pièces: 9685

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT50MC120JCU2

stock de pièces: 704

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT40SM120S

stock de pièces: 2514

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT40SM120B

stock de pièces: 1859

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

stock de pièces: 1625

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

stock de pièces: 1333

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

stock de pièces: 1604

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT14M100S

stock de pièces: 8207

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT18M80S

stock de pièces: 1606

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT12057JLL

stock de pièces: 1638

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT53N60SC6

stock de pièces: 1604

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT12067JLL

stock de pièces: 1582

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

stock de pièces: 6180

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

stock de pièces: 1620

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

stock de pièces: 1078

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

stock de pièces: 1668

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

stock de pièces: 2047

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

stock de pièces: 2243

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT20M120JCU2

stock de pièces: 2294

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT5014SLLG/TR

stock de pièces: 6205

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT38N60SC6

stock de pièces: 1657

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTML60U12R020T1AG

stock de pièces: 1584

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT30N60SC6

stock de pièces: 6234

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT17F100S

stock de pièces: 6915

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 9A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT9F100S

stock de pièces: 1569

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT11F80S

stock de pièces: 1633

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

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