Taper | La description |
État de la pièce | Obsolete |
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Type FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
Vg (Max) | +25V, -10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Fonction FET | - |
Puissance dissipée (Max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / Caisse | TO-247-3 |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |