Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 17

APT31N80JC3

stock de pièces: 403

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT31M100B2

stock de pièces: 4176

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

stock de pièces: 325

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

stock de pièces: 386

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

stock de pièces: 318

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

stock de pièces: 372

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

stock de pièces: 318

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT29F100L

stock de pièces: 3918

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT26F120L

stock de pièces: 2571

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT23F60B

stock de pièces: 13424

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT22F120B2

stock de pièces: 3405

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT22F120L

stock de pièces: 3400

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20N60BC3G

stock de pièces: 316

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20N60SC3G

stock de pièces: 333

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20M38BVFRG

stock de pièces: 403

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20M38SVFRG

stock de pièces: 6088

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20M19JVR

stock de pièces: 380

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 112A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT20F50B

stock de pièces: 325

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT17N80SC3G

stock de pièces: 345

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT15F60B

stock de pièces: 11766

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT17N80BC3G

stock de pièces: 399

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT15F50K

stock de pièces: 6034

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT14050JVFR

stock de pièces: 391

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 11.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT12M80B

stock de pièces: 14299

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT12F60K

stock de pièces: 403

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT12031JFLL

stock de pièces: 1030

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT1204R7KFLLG

stock de pièces: 389

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT10M11B2VFRG

stock de pièces: 5648

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT11N80KC3G

stock de pièces: 362

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT10045B2LLG

stock de pièces: 2521

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 11.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT10M09B2VFRG

stock de pièces: 349

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT1003RKLLG

stock de pièces: 359

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT1003RBLLG

stock de pièces: 6224

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APL602J

stock de pièces: 1144

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 21.5A, 12V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APT10035B2LLG

stock de pièces: 6104

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

APL1001J

stock de pièces: 396

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist