Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Microsemi Corporation

JANTX2N7236U

stock de pièces: 1624

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6800

stock de pièces: 1663

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N7228

stock de pièces: 1596

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N7227U

stock de pièces: 1635

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6802

stock de pièces: 1662

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6798

stock de pièces: 1630

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6788U

stock de pièces: 1665

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6764

stock de pièces: 1667

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 38A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6782

stock de pièces: 1657

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6768

stock de pièces: 1576

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6768T1

stock de pièces: 1621

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N7228U

stock de pièces: 1615

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6800U

stock de pièces: 1679

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N7227

stock de pièces: 6218

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N6804

stock de pièces: 1633

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N7236

stock de pièces: 1671

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6790

stock de pièces: 1593

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6768

stock de pièces: 1650

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N7236

stock de pièces: 6204

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N6790U

stock de pièces: 1645

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6804

stock de pièces: 1603

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6802

stock de pièces: 1602

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N7236U

stock de pièces: 1654

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6766T1

stock de pièces: 1620

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N7228

stock de pièces: 1683

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N7227

stock de pièces: 1628

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N7224U

stock de pièces: 1677

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 34A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N7236

stock de pièces: 1622

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6802U

stock de pièces: 1611

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N6800

stock de pièces: 1639

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N6798U

stock de pièces: 1700

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6790U

stock de pièces: 6228

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6800

stock de pièces: 1681

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JAN2N6764

stock de pièces: 6204

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 38A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTXV2N6770T1

stock de pièces: 1693

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Microsemi Corporation

JANTX2N6756

stock de pièces: 1621

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

596

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»