Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Gagner: 7dB ~ 11.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.8V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gagner: 12.5dB ~ 26.5dB, Puissance - Max: 230mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 19.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 39GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 40mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 10dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 30GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12dB ~ 18dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 175mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 37GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 10.5dB ~ 21.5dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gagner: 24.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 11dB ~ 21.5dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 16dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 9.5dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Gagner: 8.5dB ~ 13dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10dB ~ 15dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 30GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.6V, Gagner: 25.5dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 60mW,
