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Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, 9V, Fréquence - Transition: 22GHz, 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 12dB ~ 17dB, Puissance - Max: 200mW, 210mW,