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Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 10.5dB ~ 28.5dB, Puissance - Max: 100mW,