Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.6V, Fréquence - Transition: 75GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Gagner: 27dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 7.5dB ~ 16.5dB, Puissance - Max: 380mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12.5dB ~ 19dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 11.5dB ~ 16dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.8V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 9dB ~ 14dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 46GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gagner: 22.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 18.5dB, Puissance - Max: 175mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Gagner: 16.5dB ~ 29dB, Puissance - Max: 240mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Gagner: 13dB ~ 28dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6.1V, Fréquence - Transition: 900MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Gagner: 27dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.6V, Fréquence - Transition: 85GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Gagner: 35dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 19.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.25V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Gagner: 13.5dB ~ 24.5dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 46GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 7dB ~ 30dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.25V, Fréquence - Transition: 80GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Gagner: 18.5dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6.1V, Fréquence - Transition: 1.85GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12.5dB ~ 19dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 27.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12dB ~ 18dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 47GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 9dB ~ 31dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 13.5dB ~ 20.5dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 80mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 11.5dB ~ 17dB, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 210mW,
