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Type FET: N and P-Channel, Fonction FET: Logic Level Gate, Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,