Capacité @ Vr, F: 8.61pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 5.8, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 71.4pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 105pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 5.8, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapport de capacité: 6, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Rapport de capacité: 5, État du rapport de capacité: C1/C6.5, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.75, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 16V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,
Capacité @ Vr, F: 7pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.2, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 1.87, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 1.41pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.21, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 0.75pF @ 26V, 1MHz, Rapport de capacité: 14.7, État du rapport de capacité: C1/C26, Tension - Crête inversée (Max): 28V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 4.8pF @ 4.7V, 50MHz, Rapport de capacité: 12.3, État du rapport de capacité: C0.3/C4.7, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, Rapport de capacité: 22, État du rapport de capacité: C1/C28, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 7.55pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 4, État du rapport de capacité: C1/C4, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 2, État du rapport de capacité: C1/C4, Tension - Crête inversée (Max): 10V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 3.8pF @ 4.7V, 50MHz, Rapport de capacité: 12.2, État du rapport de capacité: C0.3/C4.7, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz, Rapport de capacité: 25, État du rapport de capacité: C1/C28, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single,
