Capacité @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 74.8pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.3, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 25V, Type de diode: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 1.62pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.02, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 8.37pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.35, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 7pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.2, État du rapport de capacité: C1/C3, Tension - Crête inversée (Max): 6V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, Rapport de capacité: 11, État du rapport de capacité: C2/C25, Tension - Crête inversée (Max): 34V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 0.43pF @ 20V, 50MHz, Rapport de capacité: 2.8, État du rapport de capacité: C4/C20, Tension - Crête inversée (Max): 22V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, Rapport de capacité: 3.3, État du rapport de capacité: C1/C6, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.5, État du rapport de capacité: C2/C10, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, Rapport de capacité: 3.4, État du rapport de capacité: C1/C6, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 0.83pF @ 26V, 1MHz, Rapport de capacité: 19.5, État du rapport de capacité: C1/C26, Tension - Crête inversée (Max): 28V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 0.78pF @ 4.7V, 50MHz, Rapport de capacité: 10, État du rapport de capacité: C0.3/C4.7, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 50MHz, Rapport de capacité: 12.1, État du rapport de capacité: C0.3/C4.7, Tension - Crête inversée (Max): 15V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 4.1, État du rapport de capacité: C0/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 50MHz, Rapport de capacité: 4.1, État du rapport de capacité: C0/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 4.42pF @ 4V, 50MHz, Rapport de capacité: 4.2, État du rapport de capacité: C0/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 2400 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 12.5pF @ 2.5V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.7, État du rapport de capacité: C0.5/C2.5, Tension - Crête inversée (Max): 12V, Type de diode: Single,
Capacité @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 6.5, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Rapport de capacité: 2.6, État du rapport de capacité: C2/C8, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
Capacité @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 3.2, État du rapport de capacité: C2/C30, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Rapport de capacité: 4.8, État du rapport de capacité: C3/C25, Tension - Crête inversée (Max): 30V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
