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Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 24.5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 7.5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,