Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

C2M1000170J-TR

stock de pièces: 12544

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

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C3M0065090J-TR

stock de pièces: 6828

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C3M0120100K

stock de pièces: 8031

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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C3M0120090J-TR

stock de pièces: 10635

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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C3M0030090K

stock de pièces: 2469

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

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C2M0045170P

stock de pièces: 2736

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

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E3M0120090D

stock de pièces: 3307

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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C3M0280090J

stock de pièces: 19166

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

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C3M0075120K

stock de pièces: 5595

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

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C3M0120100J

stock de pièces: 3965

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

stock de pièces: 2177

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

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C2M0025120D

stock de pièces: 1093

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

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C3M0280090J-TR

stock de pièces: 19172

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

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C3M0065100J

stock de pièces: 2848

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C2M0080170P

stock de pièces: 2196

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

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CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

stock de pièces: 2236

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

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C2M0045170D

stock de pièces: 866

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

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C3M0280090D

stock de pièces: 20168

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

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C3M0075120J

stock de pièces: 5794

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

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C3M0065100K

stock de pièces: 5808

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C3M0120090J

stock de pièces: 10579

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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CMF20120D

stock de pièces: 976

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

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CMF10120D

stock de pièces: 1120

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

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C3M0120090D

stock de pièces: 10936

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

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C2M0040120D

stock de pièces: 2045

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

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C2M0160120D

stock de pièces: 8382

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

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C3M0065100J-TR

stock de pièces: 93

Type FET: N-Channel, La technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C2M1000170J

stock de pièces: 12480

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

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C3M0075120J-TR

stock de pièces: 280

Type FET: N-Channel, La technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

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E3M0065090D

stock de pièces: 9953

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

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E3M0280090D

stock de pièces: 8442

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

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C3M0065090D

stock de pièces: 6981

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C3M0065090J

stock de pièces: 6843

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

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C2M0280120D

stock de pièces: 12900

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

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C2M1000170D

stock de pièces: 13276

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

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C2M0080120D

stock de pièces: 4209

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

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