Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

TPH3202PD

stock de pièces: 7016

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3205WSB

stock de pièces: 3254

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3208PD

stock de pièces: 986

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

stock de pièces: 2351

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

stock de pièces: 6040

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LS

stock de pièces: 5664

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

stock de pièces: 6263

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

stock de pièces: 5709

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

stock de pièces: 6777

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

stock de pièces: 2828

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

stock de pièces: 5597

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

stock de pièces: 6072

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

stock de pièces: 1890

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

stock de pièces: 6066

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

stock de pièces: 1701

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

stock de pièces: 2970

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

stock de pièces: 6741

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

stock de pièces: 2997

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

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TPH3206LSB

stock de pièces: 6120

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

stock de pièces: 4430

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

stock de pièces: 6662

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

stock de pièces: 6623

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

stock de pièces: 5648

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

stock de pièces: 7016

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

stock de pièces: 6074

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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