Type FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fonction FET: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
