| Taper | La description |
| État de la pièce | Obsolete |
|---|---|
| Type FET | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Vg (Max) | ±18V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
| Fonction FET | - |
| Puissance dissipée (Max) | 65W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / Caisse | TO-220-3 |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
