Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut | Produits à semi-conducteurs discrets | 6

RN1112(T5L,F,T)

stock de pièces: 1924

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

stock de pièces: 126227

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

stock de pièces: 1912

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

stock de pièces: 100188

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

stock de pièces: 1954

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

stock de pièces: 1987

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

stock de pièces: 1976

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

stock de pièces: 1970

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

stock de pièces: 1984

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

stock de pièces: 2177

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

stock de pièces: 1902

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

stock de pièces: 9904

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

stock de pièces: 116634

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

stock de pièces: 1960

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

stock de pièces: 2029

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

stock de pièces: 1997

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

stock de pièces: 128621

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

stock de pièces: 1985

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

stock de pièces: 1935

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

stock de pièces: 1956

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

stock de pièces: 2014

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

stock de pièces: 176393

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

stock de pièces: 158736

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

stock de pièces: 147458

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

stock de pièces: 1999

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

stock de pièces: 1905

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

stock de pièces: 1959

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

stock de pièces: 1945

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

stock de pièces: 159037

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

stock de pièces: 1965

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

stock de pièces: 1933

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

stock de pièces: 3234

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

stock de pièces: 1981

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

stock de pièces: 184462

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

stock de pièces: 140630

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

stock de pièces: 164879

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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