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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

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RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

stock de pièces: 1976

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

stock de pièces: 1953

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

stock de pièces: 1980

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

stock de pièces: 1961

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

stock de pièces: 1986

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

stock de pièces: 1925

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

stock de pièces: 2043

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

stock de pièces: 1932

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

stock de pièces: 1944

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

stock de pièces: 2027

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

stock de pièces: 1975

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

stock de pièces: 199880

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

stock de pièces: 1959

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

stock de pièces: 1901

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

stock de pièces: 9941

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

stock de pièces: 1966

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

stock de pièces: 1955

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

stock de pièces: 169265

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

stock de pièces: 1945

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

stock de pièces: 1956

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

stock de pièces: 1979

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

stock de pièces: 2028

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

stock de pièces: 1977

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

stock de pièces: 1987

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

stock de pièces: 1950

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

stock de pièces: 2045

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

stock de pièces: 3230

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

stock de pièces: 1956

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

stock de pièces: 126325

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

stock de pièces: 2063

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

stock de pièces: 176769

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 5.6 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

stock de pièces: 2026

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

stock de pièces: 1962

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

stock de pièces: 120698

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

stock de pièces: 112225

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

stock de pièces: 163677

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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