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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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  • Diodes - Redresseurs - Simples
MBR1645HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1645HC0G

stock de pièces: 97

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 630mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1650 C0G

stock de pièces: 160

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAS803G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS803G MNG

stock de pièces: 162

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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UGA15120 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120 C0G

stock de pièces: 68

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.9V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 65ns,

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SFS1006GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1006GHMNG

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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GPA805 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA805 C0G

stock de pièces: 104

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 8A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFS1001GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1001GHMNG

stock de pièces: 162

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFF1004GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GAHC0G

stock de pièces: 138

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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ES15JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15JLWHRVG

stock de pièces: 140

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRF10200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10200 C0G

stock de pièces: 80

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HERAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1002G C0G

stock de pièces: 74

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MBRF745 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF745 C0G

stock de pièces: 75

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1690 C0G

stock de pièces: 111

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF760HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760HC0G

stock de pièces: 145

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF5150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5150HC0G

stock de pièces: 135

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.02V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF803GHC0G

stock de pièces: 126

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRA20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20150 C0G

stock de pièces: 121

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.02V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HERAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1001G C0G

stock de pièces: 156

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SFAF505GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF505GHC0G

stock de pièces: 132

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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S1GFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GFSHMXG

stock de pièces: 94

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF2050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050 C0G

stock de pièces: 110

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 820mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF2050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050HC0G

stock de pièces: 93

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 820mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAS806GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS806GHMNG

stock de pièces: 136

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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TPMR10D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TPMR10D S1G

stock de pièces: 67

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFAS808G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS808G MNG

stock de pièces: 91

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFF502GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF502GHC0G

stock de pièces: 161

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 2.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HERA807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA807G C0G

stock de pièces: 80

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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MBR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16150 C0G

stock de pièces: 142

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFF1001GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GA C0G

stock de pièces: 89

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HERAF803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF803G C0G

stock de pièces: 90

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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HT17G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT17G A0G

stock de pièces: 88

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SFAF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1603G C0G

stock de pièces: 97

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFAF505G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF505G C0G

stock de pièces: 132

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1607G C0G

stock de pièces: 88

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MUR190A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190A A0G

stock de pièces: 143

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 900V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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MBR1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635 C0G

stock de pièces: 112

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 630mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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