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0RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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  • Diodes - Redresseurs - Simples
HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

stock de pièces: 103

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

stock de pièces: 147

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

stock de pièces: 124

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

stock de pièces: 156

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

stock de pièces: 115

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1.2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

stock de pièces: 74

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

stock de pièces: 153

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

stock de pièces: 87

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

stock de pièces: 97

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

stock de pièces: 86

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

stock de pièces: 86

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

stock de pièces: 98

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

stock de pièces: 145

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

stock de pièces: 120

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

stock de pièces: 66

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.1V @ 12A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 45ns,

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MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

stock de pièces: 138

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

stock de pièces: 69

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

stock de pièces: 160

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 2.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

stock de pièces: 163

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

stock de pièces: 119

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

stock de pièces: 86

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

stock de pièces: 138

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

stock de pièces: 110

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.9V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 65ns,

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SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

stock de pièces: 145

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 630mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

stock de pièces: 90

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

stock de pièces: 74

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

stock de pièces: 117

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1.2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

stock de pièces: 107

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

stock de pièces: 151

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

stock de pièces: 137

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 630mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

stock de pièces: 156

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

stock de pièces: 118

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1.2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

stock de pièces: 155

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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