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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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SSL13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13 R3G

stock de pièces: 107

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES2FA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FA M2G

stock de pièces: 123

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SSL34 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34 V7G

stock de pièces: 90

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AHM2G

stock de pièces: 134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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RS1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KHM2G

stock de pièces: 132

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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HS3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3MB M4G

stock de pièces: 76

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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HS3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3B V6G

stock de pièces: 117

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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ES3J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3J V6G

stock de pièces: 122

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SK53C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK53C V7G

stock de pièces: 117

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SSL22HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL22HM4G

stock de pièces: 109

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 410mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS32 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V6G

stock de pièces: 76

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4A V6G

stock de pièces: 74

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHM2G

stock de pièces: 131

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 720mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MB M4G

stock de pièces: 83

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SS29 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 R5G

stock de pièces: 132

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HS2F M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2F M4G

stock de pièces: 56

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SS23HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HR5G

stock de pièces: 83

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2AA M2G

stock de pièces: 120

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SK315AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315AHR3G

stock de pièces: 83

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2AA M2G

stock de pièces: 77

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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HS5J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5J V6G

stock de pièces: 116

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SK52C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52C V6G

stock de pièces: 81

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES3C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3C V7G

stock de pièces: 49

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SSL33 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL33 V7G

stock de pièces: 142

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK34BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK34BHM4G

stock de pièces: 50

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BHM2G

stock de pièces: 80

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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ES2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BAHM2G

stock de pièces: 80

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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TSOD1F1HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F1HM RVG

stock de pièces: 121

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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S5J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5J V6G

stock de pièces: 91

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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US1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1A M2G

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SK32AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32AHR3G

stock de pièces: 70

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1A M2G

stock de pièces: 134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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HS1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A M2G

stock de pièces: 134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SK32BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32BHM4G

stock de pièces: 87

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHR5G

stock de pièces: 92

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ES2CA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CA M2G

stock de pièces: 134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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