Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

SK55C V7G

stock de pièces: 120

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CHR5G

stock de pièces: 53

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK15B M4G

stock de pièces: 64

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2DA M2G

stock de pièces: 77

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK35BHM4G

stock de pièces: 91

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK85C V6G

stock de pièces: 139

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2BA R3G

stock de pièces: 51

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A M2G

stock de pièces: 106

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK55BHM4G

stock de pièces: 51

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1GBHM4G

stock de pièces: 133

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S10KC V6G

stock de pièces: 140

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310 V6G

stock de pièces: 138

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AHR3G

stock de pièces: 125

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK310BHM4G

stock de pièces: 143

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK520C V6G

stock de pièces: 80

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GAHR3G

stock de pièces: 48

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2M M4G

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3D V6G

stock de pièces: 111

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13HR3G

stock de pièces: 118

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2K M4G

stock de pièces: 87

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK53C V6G

stock de pièces: 84

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V7G

stock de pièces: 131

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2CA M2G

stock de pièces: 125

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S8MC V6G

stock de pièces: 80

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S10MC V6G

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BA M2G

stock de pièces: 88

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK310AHM2G

stock de pièces: 137

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JF R2G

stock de pièces: 136

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AHM2G

stock de pièces: 48

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS15 M2G

stock de pièces: 128

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3G V6G

stock de pièces: 51

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK56B M4G

stock de pièces: 61

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR310S V6G

stock de pièces: 80

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK39A R3G

stock de pièces: 77

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS36 V6G

stock de pièces: 112

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS39 V7G

stock de pièces: 63

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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