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RFQS / Commande
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Diodes - Redresseurs - Simples

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S3ABHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3ABHM4G

stock de pièces: 111

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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S4D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4D V6G

stock de pièces: 142

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK29AHM2G

stock de pièces: 59

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S12GC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V7G

stock de pièces: 58

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 12A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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RS1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1B M2G

stock de pièces: 48

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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SFF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GHC0G

stock de pièces: 61

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MUR305S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR305S V6G

stock de pièces: 100

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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ESH3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V7G

stock de pièces: 74

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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SSL13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13HM2G

stock de pièces: 134

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3F V6G

stock de pièces: 116

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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ES2DHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DHM4G

stock de pièces: 119

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39A M2G

stock de pièces: 110

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HS3J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V6G

stock de pièces: 53

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SS110HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110HR3G

stock de pièces: 99

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1K M2G

stock de pièces: 111

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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SK515C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515C V6G

stock de pièces: 140

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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US1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1AHR3G

stock de pièces: 67

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SSL24 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 M4G

stock de pièces: 109

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 410mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AHM2G

stock de pièces: 50

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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ESH1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B M2G

stock de pièces: 103

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 15ns,

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US1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1K M2G

stock de pièces: 113

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SK13B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B R5G

stock de pièces: 79

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFF1602GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602GHC0G

stock de pièces: 107

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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ES2CAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CAHR3G

stock de pièces: 121

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2K M4G

stock de pièces: 107

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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S2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2JA M2G

stock de pièces: 54

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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S1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1D M2G

stock de pièces: 142

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK215AHM2G

stock de pièces: 62

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK115BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHM4G

stock de pièces: 97

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK26AHM2G

stock de pièces: 100

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2B M4G

stock de pièces: 119

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.5µs,

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MUR440S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR440S V6G

stock de pièces: 84

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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HS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2KA M2G

stock de pièces: 102

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SSL12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL12HM2G

stock de pièces: 138

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK52C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52C V7G

stock de pièces: 75

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32AHM2G

stock de pièces: 62

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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