Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Rohm Semiconductor

RF6E045AJTCR

stock de pièces: 153469

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.7 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCJ220N25TL

stock de pièces: 54220

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RT1E040RPTR

stock de pièces: 152920

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3H200SNTL1

stock de pièces: 158

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCJ160N20TL

stock de pièces: 91882

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

R6012ANX

stock de pièces: 17433

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RV2C010UNT2L

stock de pièces: 151401

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RV3C002UNT2CL

stock de pièces: 175769

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

US5U2TR

stock de pièces: 157629

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3S075CNTL1

stock de pièces: 131

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 190V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RAF040P01TCL

stock de pièces: 139620

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RZM002P02T2L

stock de pièces: 182920

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RF6C055BCTCR

stock de pièces: 197989

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCJ081N20TL

stock de pièces: 153113

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3U080CNTL1

stock de pièces: 97

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3P175SNTL1

stock de pièces: 150

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 8.8A, 10V,

Wishlist

RK7002BMHZGT116

Rohm Semiconductor

RK7002BMHZGT116

stock de pièces: 79

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3L150SNTL1

stock de pièces: 157

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSF014N03TL

stock de pièces: 174306

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCX120N20

stock de pièces: 73240

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

TT8U2TR

stock de pièces: 109118

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

R6002END3TL1

stock de pièces: 68

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RD3T075CNTL1

stock de pièces: 125

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 3.75A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTL020P02FRATR

stock de pièces: 67

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

R6011ENJTL

stock de pièces: 40385

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RHP030N03T100

stock de pièces: 173309

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RUF025N02TL

stock de pièces: 125357

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCJ120N20TL

stock de pièces: 136621

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RS1G260MNTB

stock de pièces: 88458

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RF4E110BNTR

stock de pièces: 189891

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RS1G150MNTB

stock de pièces: 189017

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

R6004ENJTL

stock de pièces: 123366

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCJ100N25TL

stock de pièces: 92467

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTL035N03TR

stock de pièces: 153067

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

QS6U22TR

stock de pièces: 189712

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RQ5A030APTL

stock de pièces: 160749

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist

644

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»