Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Rohm Semiconductor

RQ3E150GNTB

stock de pièces: 143170

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RQ5C035BCTCL

stock de pièces: 153058

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

stock de pièces: 135551

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTF025N03TL

stock de pièces: 131049

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RF4E080GNTR

stock de pièces: 141715

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RHK005N03T146

stock de pièces: 113939

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSU002N06T106

stock de pièces: 104070

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RT1A050ZPTR

stock de pièces: 189488

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTE002P02TL

stock de pièces: 158987

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTL030P02TR

stock de pièces: 168289

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

QS5U13TR

stock de pièces: 106198

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

QS5U17TR

stock de pièces: 194462

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RZQ045P01TR

stock de pièces: 175508

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RRQ045P03TR

stock de pièces: 100214

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RTR020P02TL

stock de pièces: 175355

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RQ5E035ATTCL

stock de pièces: 169961

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSR015P03TL

stock de pièces: 170687

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RRH050P03TB1

stock de pièces: 934

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU6TB

stock de pièces: 73095

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RRS090P03TB1

stock de pièces: 952

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta),

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS120N03FU6TB

stock de pièces: 912

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS075P03FU6TB

stock de pièces: 94379

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS105N03FU6TB

stock de pièces: 953

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS050P03FU6TB

stock de pièces: 135566

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

SCT2080KEC

stock de pièces: 4122

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RP1E100RPTR

stock de pièces: 949

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS125N03FU6TB

stock de pièces: 98050

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS040P03FU6TB

stock de pièces: 146781

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RMW150N03TB

stock de pièces: 1105

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS130N03FU6TB

stock de pièces: 83883

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RCD040N25TL

stock de pièces: 986

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS110N03FU6TB

stock de pièces: 103226

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS080N05FU6TB

stock de pièces: 940

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta),

Wishlist

Rohm Semiconductor

SCT2H12NZGC11

stock de pièces: 14753

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1700V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RSS100N03FU6TB

stock de pièces: 117457

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist

Rohm Semiconductor

RDN100N20FU6

stock de pièces: 24446

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist

644

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»