Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 18

RSS100N03FRATB

stock de pièces: 126

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RUC002N05HZGT116

stock de pièces: 63

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RU1C001ZPTL

stock de pièces: 134800

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RD3H080SPTL1

stock de pièces: 159

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3L220SNTL1

stock de pièces: 69

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 22A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRF015P03TL

stock de pièces: 122302

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3T100CNTL1

stock de pièces: 66

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCJ120N25TL

stock de pièces: 120020

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 6A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RT1E050RPTR

stock de pièces: 181020

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3H045SPTL1

stock de pièces: 107

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6020ENJTL

stock de pièces: 52723

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3H160SPTL1

stock de pièces: 78

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6024ENJTL

stock de pièces: 19386

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11.3A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSF015N06TL

stock de pièces: 151379

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSJ301N10FRATL

stock de pièces: 110

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS070P05FRATB

stock de pièces: 112

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS060P05FRATB

stock de pièces: 149

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 45V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V,

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Rohm Semiconductor

US5U30TR

stock de pièces: 129983

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

R6015ENZC8

stock de pièces: 15410

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3S100CNTL1

stock de pièces: 93

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 190V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

US5U1TR

stock de pièces: 104767

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RD3P130SPTL1

stock de pièces: 122

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRL035P03FRATR

stock de pièces: 119

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RU1C002UNTCL

stock de pièces: 112108

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V,

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Rohm Semiconductor

RV2C014BCT2CL

stock de pièces: 183044

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.4A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RUL035N02FRATR

stock de pièces: 125

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RD3L050SNFRATL

stock de pièces: 158

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6020KNJTL

stock de pièces: 43720

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3U040CNTL1

stock de pièces: 66

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RV1C001ZPT2L

stock de pièces: 121960

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RSF015N06FRATL

stock de pièces: 89

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6024KNJTL

stock de pièces: 38056

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11.3A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3L050SNTL1

stock de pièces: 87

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSL020P03FRATR

stock de pièces: 118

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RT1A060APTR

stock de pièces: 151979

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RRF015P03GTL

stock de pièces: 165834

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 10V,

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